NEO Semiconductor 完成 3D 堆叠内存 X-DRAM 概念验证，可用现有 NAND 产线制造
IT之家 4 月 24 日消息，3D 存储半导体 IP 企业 NEO Semiconductor 美国加州当地时间 23 日宣布其 X-DRAM 成功完成概念验证芯片制造，证明这一 3D 堆叠内存可利用现有 3D NAND 闪存生产线制造。 NEO Semiconductor 的
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